系統(tǒng)特點(diǎn)
尺寸小的ICP-MS
靈敏度高的碰撞池-第三代八極桿碰撞/反應(yīng)池系統(tǒng)(ORS3)
數(shù)字控制式射頻匹配的RF發(fā)生器
純 He 氣碰撞池:只用He氣就可以消除所有干擾
耐高鹽的ICP-MS: HMI技術(shù)(TDS>3%)
穩(wěn)定的ICP離子源技術(shù):數(shù)字控制式諧頻ICP發(fā)生器
有機(jī)溶劑進(jìn)樣不熄火
分析速度快:ISIS-DS技術(shù)
容易維護(hù)和清洗
色譜聯(lián)機(jī)功能
功能穩(wěn)定的軟件:MassHunter系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)QA/QC偏移標(biāo)示,自動(dòng)化控制等
主要參數(shù)
1. 靈敏度:
低質(zhì)量數(shù) Li(7): 3 50 Mcps/ppm;
中質(zhì)量數(shù) Y(89): 3 160 Mcps/ppm(7700x); 240 Mcps/ppm(7700s) ;
高質(zhì)量數(shù) Tl(205): 3 80 Mcps/ppm(7700x); 120 Mcps/ppm(7700s);
根據(jù)用戶(hù)特殊需求,可提供穩(wěn)定靈敏度功能
2. 檢測(cè)限:
低質(zhì)量數(shù) Be(9): £ 0.5 ppt;
中質(zhì)量數(shù) In(115): £ 0.1 ppt
高質(zhì)量數(shù) Bi(209): £ 0.1 ppt
3. 氧化物干擾: CeO+/Ce+:£ 1.5 %(7700x); 3.0 %(7700s);
4. 雙電荷干擾: Ce2+/Ce+:£ 3.0 %
5. 同位素比精度: RSD(107Ag/109Ag) £0.1%
6. 質(zhì)譜范圍:2 - 260 amu;
7 豐度靈敏度 :
低質(zhì)量端: £ 5 x 10-7
高質(zhì)量端: £ 1 x 10-7
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